MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

摘要：

以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率(μ)的晶体管器件.结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50μA,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs.同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用.

关键词：空穴迁移率、MoO3缓冲层、有机薄膜晶体管、阈值电压

分类号：TN383+.1(半导体技术)

在线出版日期：2013-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：941-943