钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究

摘要：

利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性.在非故意掺杂氮浓度为1×1014 cm?3、硼浓度为1×1011 cm?3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1×1012 cm?3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流.随着钒浓度增加到1×1014 cm?3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1×1017 cm?3时,幅值减小到2.5 A.

关键词：能级、漏电流、光导开关、碳化硅

分类号：TN36;TM89(半导体技术)

在线出版日期：2013-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：937-940