SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

摘要：

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库.该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器.该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度.

关键词：金属半导体场效应晶体管、非线性模型、碳化硅、符号定义器件

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60701017,60876052

在线出版日期：2010-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：443-446,453