掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

摘要：

采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响.XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现.随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大.当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8 μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560 μΩ·cm和270 ppm/℃.

关键词：Al掺杂、磁控溅射、TaN薄膜、TCR

所属期刊栏目：39

分类号：TB43;TN6(工业通用技术与设备)

资助基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金KFJJ200804

在线出版日期：2010-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：440-442