宽禁带功率半导体器件技术

摘要：

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表.与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料.该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管.同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望.

关键词：氮化镓、功率器件、碳化硅、宽禁带半导体

所属期刊栏目：38

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2009-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：618-623