非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计

摘要：

设计了一种基于电流模式的具有非线性补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源.在传统电路的基础上增加一个三极管和两个电阻达到对双极型晶体管的发射结电压VBE中与温度相关的非线性项的补偿.电路采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺制造.该电路结构简单,在室温下的输出电压为1.217V,在-40℃-125℃的范围内温度系数为4.6ppm/℃,在2.6～4V之间的电源调整率为1.6m V/V.在3.3 V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.21mW.

关键词：带隙基准源、CMOS、低功耗、低温漂、非线性补偿

所属期刊栏目：38

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家杰出青年基金60425101;教育部新世纪优秀人才计划NCET-04-0896

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140