中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

摘要：

讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制,介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法.针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验,结果表明,在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下,只能抑制住部分二次电子,一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流,二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1/5.在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制,能很好地抑制二次电子流的产生,当偏压为300V时,二次电子电流近似为零.

关键词：中子发生器、数值模拟、二次电子、抑制

所属期刊栏目：38

分类号：TL501+.7(加速器)

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：83-86