10.3969/j.issn.1001-0548.2007.05.041
空穴传输层厚度对OLED性能的影响
该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0~60nm)/Alq3(60 nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极菅.通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配.实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15 nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率.
器件性能、空穴传输层、有机发光二极管、厚度
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TN383(半导体技术)
总装备部科研项目51402040205
2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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