LaSrAlO4中Cu2+的自旋哈密顿参量的理论分析

摘要：

根据晶体场理论,利用3d9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu2+的LaSrAlO4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析.其中的四角晶场参量Ds、Dt由重叠模型和杂质中心的局部结构计算,因子公式中的芯区极化常数K≈0.286.所得到的计算值与实验符合较好,并从理论上确定了A//负值.

关键词：晶体场理论、电子顺磁共振、自旋哈密顿、重叠模型

所属期刊栏目：36

分类号：O737(晶体物理)

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：230-231,301