普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

摘要：

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件.该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT.该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1 000,并伴有电流控制型负阻.

关键词：异质结双极晶体管、负阻、超薄基区、体势垒晶体管

所属期刊栏目：36

分类号：TN321(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311905;中国博士后科学基金

在线出版日期：2007-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：129-131,136