240 nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

摘要：

针对应变Si PMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(＞1μm),采用了低温Si技术试制出240 nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET.器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%.器件性能可与采用1 μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟.

关键词：SiGe、应变Si、低温Si、PMOSFET

所属期刊栏目：36

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国防重点实验室基金2002JS09.3.1.DZ02

在线出版日期：2007-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：126-128