Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

摘要：

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理.在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5μΩ·cm.样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用.在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景.

关键词：颗粒膜、磁性、电阻率、霍尔效应

所属期刊栏目：35

分类号：O482.54(固体物理学)

在线出版日期：2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：964-966