碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

摘要：

采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜.并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1～1.2 V/μm.对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3μA提高到34μA.

关键词：碳纳米管、场发射、化学气相沉积法、老炼

所属期刊栏目：35

分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：936-938