碳纳米管薄膜的场发射特性研究

摘要：

碳纳米管薄膜是一种能应用于场发射平面显示器等器件中的新型冷阴极材料.该文用Ni作为催化剂,采用催化热解法在硅片上制备了多壁碳纳米管薄膜场发射阴极,反应气体为乙炔、氢气和氮气.用SEM和TEM分析了其结构,证明了碳纳米管的直径在50～70 nm间.进而采用二极管结构,在优于10-4Pa的真空度下,测试了它的场发射特性,理论分析表明碳纳米管薄膜的场发射实际上来源于突出于薄膜表面的部分碳纳米管顶端.该阴极的开启电场为8 V/μm;在11 V/μm时测试到了最大的发射电流密度2 mA/cm2,满足场发射平面显示器的要求.

关键词：碳纳米管、场发射、场发射平面显示器、阴极

所属期刊栏目：32

分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金60071022;高等学校博士学科点专项科研项目20020614008;国防重点实验室基金

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：624-627