低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

摘要：

提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案.用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-2dB为28 kHz,相位裕度为46.9°,低频下输出噪声频谱密度为1.5 μv/Hz2.采用标准的3 μmP阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近.

关键词：低噪声、电荷放大器、低功耗设计、低电压

所属期刊栏目：32

分类号：TN431.1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60072004

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：146-148,163