InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

摘要：

利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜.研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响.室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104 cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级.制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200～500Ω ,乘积灵敏度达90～150V/A.T.

关键词：InSb薄膜、真空蒸发、霍尔元件、电子迁移率、灵敏度

所属期刊栏目：28

分类号：TN382;TN305.8(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：498-501