硅-硅直接键合界面上SiO2的非稳定性

摘要：

对硅-硅直接键合界面上的SiO2进行了研究.借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5,以类球形小岛状均匀分布于键合界面上,平均半径远大于界面自然氧化层.对界面SiO2的理论分析表明,为了降低界面自由能,界面SiO2必然最大限度地减少其表面积,从而以类球形小岛分布于界面上,其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍.假定平衡界面因子为12时,同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应,理论计算与实验结果相吻合.

关键词：硅片直接键合、非化学计量比的SiO2、界面自由能、类球形小岛

所属期刊栏目：28

分类号：TN305.4(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目69776041

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：494-497