10.3969/j.issn.1001-0548.1999.05.010
Si1-xGex/Si材料外延生长技术
介绍了用MBE法生长SiGe/Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex /Si材料.其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分(x=0.15)和电学参数符合理论设计目标.利用该材料试制成功了Si1-xGex-PMOS(x =0.18)器件.
锗硅合金、分子束外延、有效组成成分
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TN304.054(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
490-493