10.3969/j.issn.1001-0548.1999.05.009
硅双极功率晶体管镇流技术的改进
从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施.结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益.
硅化物、氮化钛、镇流电阻、多晶硅
28
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
486-489
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1001-0548.1999.05.009
硅化物、氮化钛、镇流电阻、多晶硅
28
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
486-489
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn