提高雪崩击穿电压新技术-深阱终端结构

摘要：

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响.结果表明,带有场板的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%.同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性.

关键词：深阱、终端、雪崩击穿电压、介质、场板

所属期刊栏目：28

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：四川省应用基础研究计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：259-261