纳米银双面烧结SiC半桥模块封装技术

摘要：

为满足雷达阵面高功率密度的需求,SiC宽禁带半导体器件在电源模块应用中逐步取代传统硅功率器件.传统焊接及导电胶粘工艺存在导电性能差、热阻大、高温蠕变等缺点,无法发挥SiC功率器件高结温和高功率的优势.纳米银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一,具有低温烧结高温使用的优点和良好的高温工作特性.文中针对高功率电源模块大电流传输对低压降及高效散热的需求,基于高功率半桥电源模块开展了SiC芯片的纳米银双面烧结工艺技术研究,突破了成型银焊片制备、纳米银焊膏高平整度点涂、无压烧结等关键技术,并通过烧结界面微观分析以及芯片剪切强度和焊片剥离强度测试对烧结工艺参数进行了优化.最后对半桥模块进行了静态测试和双脉冲测试.该模块的栅极泄漏电流<1.5 nA,开关切换时间<125 ns,漏极电压过冲<12.5%,满足产品应用需求.

关键词：纳米银焊膏、双面烧结、无压烧结、SiC MOSFET、半桥模块

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.94(半导体技术)

资助基金：中国电子科技集团有限公司创新基金资助项目2021-2023

在线出版日期：2023-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：37-41