基于田口方法的混合集成基板CMP工艺优化研究

摘要：

为了提高多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM-C/D)技术中低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)基板的表面质量,需要采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺使基板表面平坦化.文中探讨了基于田口试验方法的基板CMP工艺参数优化设计方法.在一定的抛光条件下,抛光液pH值、抛光载荷和抛光盘转速是影响基板表面质量的主要工艺参数.文中设计了3因素3水平试验进行研究.研究结果表明,基板表面CMP平坦化的影响因素依次是抛光载荷、抛光液pH值和抛光盘转速.采用优化参数获得了光洁、平整的表面,基板粗糙度Ra≤0.05μm,浆料凸起高度H≤3μm,经薄膜工艺验证,满足厚薄膜混合基板的研制应用需求.

关键词：化学机械抛光、混合集成基板、粗糙度、选择比、田口方法、参数优化

所属期刊栏目：37

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：55-58