C波段高效率内匹配功率放大器设计

摘要：

阐述了一款内匹配功率放大器的设计过程和测试结果.该放大器工作在5～5.8 GHz,采用氮化镓HEMT工艺,在28 V漏极供电电压下实现了48 dBm输出功率和55％功率附加效率.同时,该内匹配放大器将栅极和漏极偏置电路设计在芯片内部,无需在外部设计偏置电路,在保证功放性能的同时实现了小型化.该设计充分体现了GaN内匹配电路的高功率、高效率、小型化的优势.

关键词：内匹配、功率放大器、C波段、高效率

所属期刊栏目：49

分类号：TN722.7(基本电子电路)

资助基金：辽宁省自然科学基金2021-MS-148

在线出版日期：2023-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62