10.16157/j.issn.0258-7998.212214
基于BCH纠错算法的编解码器设计与实现
随着NAND Flash存储单元的快速发展,存储密度增加使得器件的出错概率增加,为此提出了一种优化的BCH编解码器结构,编码和解码过程每个时钟周期可以并行处理16位数据,其中译码电路中的伴随式模块、错误位置多项式模块与钱氏(Chien)搜索模块采取三级流水线结构,纠错和检错阶段可以同时进行,有效地提高数据的处理速度和纠错速度.在完成电路的RTL设计后利用VCS工具完成了电路的仿真验证,结果表明在传输8 192 bit数据生成672校检因子情况下实现了 48位纠错,工作频率最高支持200 MHz.
NAND Flash、BCH码、钱氏搜索、流水线结构、编解码
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TN492(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金62174150
2022-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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