高速大容量DDR微系统过孔串扰研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.16157/j.issn.0258-7998.211356

高速大容量DDR微系统过孔串扰研究

引用
随着高速数字微系统中DDR总线信号传输速率与系统集成度的不断提高,过孔串扰问题成为影响系统信号完整性的不可忽视的因素之一.基于电磁耦合理论,通过建模仿真方法量化分析了过孔串扰的主要影响因素以及串扰噪声对信号质量的影响,在此基础上提出了过孔设计的主要原则以及减小串扰噪声的优化设计方法;介绍了一种正反面腔体结构系统级封装的信号处理微系统基板,结合JEDEC标准对DDR3总线进行了仿真分析与评估,通过以上方法优化过孔串扰大大改善了 DDR总线的信号完整性,验证了该方法的正确性与有效性.

过孔串扰;微系统;DDR;信号完整性

47

TN405.97(微电子学、集成电路(IC))

2021-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

100-104

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

47

2021,47(11)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn