面向SoC的SRAM读出电路加固设计

摘要：

SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一.提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比.两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力,但相比较单模双互锁结构的SRAM,双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短.

关键词：SoC;单粒子翻转;SRAM读出电路;数据读出速度

所属期刊栏目：47

分类号：TN702(基本电子电路)

在线出版日期：2021-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：38-41,47