用于甚低频无线通信的一种低噪声放大器设计

摘要：

介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计.提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路,用于稳定放大器的输出偏置电压.该环路配合恒定跨导偏置电路,可使放大器的开环增益保持在40 dB左右,不会受到工艺偏差、电源电压波动和工作温度变化的影响.该放大器中自共源共栅MOSFET作为增益单元,配合全差分电流偏置电路,输出范围可达到轨到轨.此放大器具有高达101.4 dB的带内电源抑制比.当可穿戴设备采用高阻抗电源供电时,电源纹波对输出信号几乎无影响.

关键词：甚低频、低噪声放大器、高电源抑制比、恒定开环增益、输出轨到轨

所属期刊栏目：47

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：46-51,56