10.16157/j.issn.0258-7998.200097
基于STT-MRAM的位逻辑运算方案及灵敏放大器设计
基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)提出了一种改进型存内位逻辑计算方案.该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度,通过互补型读出电路增加了“与非”和“或非”的运算功能.此外,还通过增加支路电压稳定电路的方法,提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器.基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明,相较于传统的灵敏放大器,该方案不仅读取速度提升了33%,在适配大型存储阵列(CB≥0.8 pF)时还拥有更强的读取能力与更优的功率积(PDP).
自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)、位逻辑运算、高速、灵敏放大器
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国家重点研发计划2018YFB0407603
2020-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
40-44,50