深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

摘要：

为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真.选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系.从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小.表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据.

关键词：瞬时剂量率效应、三维数值模拟、深亚微米SOI、H型NMOS

所属期刊栏目：45

分类号：TN31;TL99(半导体技术)

在线出版日期：2019-12-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：59-61,66