一种新型的双阈值4T SRAM单元的设计

摘要：

通过减少晶体管数目来达到减小存储单元面积,从而实现高密度的SRAM设计是一种较为直接的解决方案.在至关重要的SRAM存储单元设计中,不同工作状态表现出的稳定特性是评判SRAM设计的重要指标.比较了55 nm CMOS工艺节点下传统6T和4T SRAM存储单元的数据保持和读写工作时的稳定特性.经过多次蒙特卡洛仿真,仿真结果表明,4T结构SRAM与传统6T结构相比,存储单元面积减小20％,在相同供电电压下,通过在外围电路中增加读辅助电路,读稳定性提升了110％,写能力增强183％.

关键词：SRAM存储单元、稳定性、读辅助电路、写能力

所属期刊栏目：44

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-23,28