基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究

摘要：

为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究.在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8 μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺.为此,采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索,并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌.

关键词：CMOS-MEMS工艺、高深宽比、深槽刻蚀、RIE和Bosch工艺

所属期刊栏目：44

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：32-36,40