基于GaAs IPD的K波段芯片滤波器

摘要：

基于砷化镓集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,研制出了一款性能优良的K波段发夹型带通滤波器芯片,测试结果表明:在19.5～21.3 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗＜2.6 dB,最小插入损耗为20 GHz处2.2 dB,带内输入输出回波损耗＜-25 dB,群时延波动＜50 ps,测试结果与仿真设计十分吻合.该滤波器尺寸仅为2.96 mm×1.8 mm×0.1 mm,相比传统工艺的微波滤波器,体积大大缩小,符合当前通信、雷达等微波系统中器件小型化的发展趋势,具有广阔的应用前景.

关键词：砷化镓、集成无源器件、滤波器、K波段、单片微波集成电路

所属期刊栏目：44

分类号：TN603.5(电子元件、组件)

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：39-43