短沟道MOSFET的毫米波噪声建模

摘要：

基于40 nm MOSFET的器件物理结构,建立了统一的MOSFET毫米波噪声模型,以此来表征漏极电流噪声、感应栅极电流噪声以及两者之间的互相关噪声的特性.通过将栅极过载效应引入高频噪声模型,使得统一模型具有良好的平滑性、准确性和连续性.最后,将所建模型的仿真结果与传统的高频噪声模型进行对比,并且对比所建模型与传统模型的四噪声参数以及实测的数据来验证模型的有效性和精准性.

关键词：MOSFET、相关噪声、毫米波、四噪声参数

所属期刊栏目：44

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：创新基金资助项目18ycx116

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：31-34,38