带工艺修调的低温漂片内振荡器设计

摘要：

针对片内CMOS振荡器频率稳定性不高的问题,提出了一种对温度和工艺的补偿方案.基准电压在正温度电阻上产生一路负温度系数的电流,将其与带隙基准产生的PTAT电流进行叠加得到零温度系数的电流对电容充电;采用数字修调网络对电容进行修调,振荡器频率的工艺漂移被显著降低.仿真结果表明:典型工作条件下,振荡器中心频率为1 MHz,占空比为50％;当温度在-40℃～125℃范围内变化时,振荡器输出频率漂移仅为0.8％;对电容进行修调后,在三种不同的工艺角下,输出频率相对误差仅为1.23％.振荡器对温度和工艺偏差不敏感,表现出良好的稳定性.

关键词：振荡器、温度补偿、工艺漂移、电容修调

所属期刊栏目：42

分类号：TN752(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金项目61531016、61271090;四川省科技支撑计划项目2016GZ0059、2015GZ0103

在线出版日期：2016-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-46,50