功率MOSFET雪崩能量及雪崩失效分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.16157/j.issn.0258-7998.2016.04.036

功率MOSFET雪崩能量及雪崩失效分析

引用
首先阐述了传统测试条件下功率 MOSFET 管的数据表中雪崩能量值的缺陷,然后讨论了针对实际应用对应着不同的测试电感值时,功率 MOSFET 雪崩能量的变化及特性,给出了相应的测试波形。同时,通过不同条件下功率MOSFET 管雪崩失效的显微图片,详细地分析了相应的雪崩特性和产生的原因。在小电感条件下,大电流快速关断是功率 MOSFET 管雪崩最为恶劣的情况。

雪崩、非箝位感性负载开关、失效分析、过压

42

TN34(半导体技术)

2016-06-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

132-134

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

42

2016,42(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn