CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计

摘要：

提出了应用0.13μm CMOS 工艺设计的具有高隔离度的 Ka 波段单刀双掷（ Single Pole Double Throw ， SPDT ）开关。测试结果显示，在 Ka 波段此单片开关插损为2.7～3.7 dB，在35 GHz 时测得的输入1 dB 压缩点（P-1dB）为8 dBm。通过使用并联 NMOS 晶体管的拓扑结构并且使用高 Q 值的匹配网络，测得的开关在30～45 GHz 有33～51 dB 的隔离度。此 Ka 波段单刀双掷开关芯片的核心面积（ die ）仅仅为160×180μm2。

关键词：Ka波段、单刀双掷开关、高隔离度、CMOS、T/R开关

所属期刊栏目：42

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：43-45,52