温度循环下IGBT热阻退化模型的研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.16157/j.issn.0258-7998.2016.02.006

温度循环下IGBT热阻退化模型的研究

引用
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在工作过程中经常要承受过热和较大的温度波动,当热损伤达到一定的程度时,模块极有可能出现失效,从而带来巨大损失.首先从理论上分析了IGBT的失效机理,然后利用热阻测试平台和加速老化实验平台测得IGBT热阻在温度循环冲击下的退化情况,最后根据实验结果建立IGBT热阻退化数学模型,得出热阻的退化规律.

IGBT、热阻、温度循环、退化模型

42

TN32(半导体技术)

国家自然科学基金资助项目51377044;河北省科技支撑计划资助项目13214303D,4214503D

2016-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

25-27,31

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

42

2016,42(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn