10.16157/j.issn.0258-7998.2015.11.015
低相位噪声宽带LC压控振荡器设计
基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器.采用开关电容阵列使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声.采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度.仿真结果表明,在1.2V电源电压下,电路功耗为3.6 mW.频率调谐范围4.58 GHz-5.35 GHz,中心频率5 GHz,在偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-125dBc/Hz.
压控振荡器、开关电容阵列、可变电容阵列
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TN722.3(基本电子电路)
浙江省湖州市科技计划项目2014yz07
2015-12-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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