10.16157/j.issn.0258-7998.2015.08.001
3D IC-TSV技术与可靠性研究
对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等.着重对TSV可靠性分析的重要性、研究现状和热应力分析方面进行了介绍.以传热分析为例,实现简单TSV模型的热仿真分析和理论计算.最后介绍了TSV技术市场化动态和未来展望.
3D-TSV、通孔、晶圆减薄、键合、热可靠性
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TN406(微电子学、集成电路(IC))
2015-09-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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