一种二阶补偿带隙基准设计
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7998.2013.07.013

一种二阶补偿带隙基准设计

引用
基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性.采用0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃~135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB.

基准电压、二阶补偿、分段补偿、曲率校正、电源抑制比

39

TN433(微电子学、集成电路(IC))

2013-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

41-43,46

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子技术应用

0258-7998

11-2305/TN

39

2013,39(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn