10.3969/j.issn.0258-7998.2013.07.013
一种二阶补偿带隙基准设计
基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性.采用0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃~135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB.
基准电压、二阶补偿、分段补偿、曲率校正、电源抑制比
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TN433(微电子学、集成电路(IC))
2013-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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