一种高线性调整率无电容型LDO的设计

摘要：

提出了一种1.8V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO (Low Dropout)电路.电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性；带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响.该设计采用HHNEC 0.13 μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHp≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×O.34 mm.测试结果显示:在2.5 V～5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA；在正常工作模式下,整个LDO消耗56 μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18 μA).

关键词：密勒补偿、限流保护、低功耗、高阶补偿

所属期刊栏目：38

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47