红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术

摘要：

通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟.用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连.

关键词：红外焦平面、硅通孔、倒装焊、垂直互连、直写技术

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.94(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60777043;国家高技术研究发展计划863计划资助2007AA03Z120

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：86-90