10.3969/j.issn.0258-7998.2011.03.022
0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中.使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源.
带隙基准、0.18 μm CMOS、温度系数
37
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2011-08-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
51-53,57
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10.3969/j.issn.0258-7998.2011.03.022
带隙基准、0.18 μm CMOS、温度系数
37
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2011-08-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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51-53,57
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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