一种低压低功耗的亚阈型CMOS基准电压源

摘要：

介绍一种低压、低功耗和低温度系数CMOS基准电压源,该基准电压源的核心MOSFET工作在亚阈值区,采用亚阈值型MOSFET低于某个特定偏置点时,具有负温度系数的特点.电路用标准的0.35 μm CMOS工艺设计,在-40℃～+110℃范围的温度系数为262.6 ppm/ ℃时,基准的输出电压为345.36 mV.本文也对亚阈型MOSFET的"栅一源"电压在温度方面的表现做了研究.

关键词：低电压、低功耗、亚阈值、电压基准

所属期刊栏目：37

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：48-50