一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计

摘要：

基于RFID标签芯片的低功耗要求,设计了一种超低功耗的带隙基准电压源,电路中的主要MOS管都工作在亚阈值状态.在spectre环境下仿真表明,当电源电压为3 V～7 V,温度在-30℃～+120℃变化时,输出基准电压为1.8 V±0.001 V.电源电压抑制比(PSRR)为69.5 dB,并且电路工作电流维持在1.5 μA～7 μA的范围内.

关键词：亚阈值、带隙基准源、电源抑制比、低功耗

所属期刊栏目：35

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-73,77