2.4GHz 0.18μm CMOS低噪声放大器分析与设计

摘要：

基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计.电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.35dB,IIP3约为-1.43dBm,功耗约8.96mW.

关键词：低噪声放大器(LNA)、线性度、匹配

所属期刊栏目：33

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：55-57