功率MOSFET雪崩能量测试研究

摘要：

现如今,功率MOSFET在电子电力设备中应用十分广泛,随着不断的发展,至今已成为工业领域最重要的器件之一,因此由于它而引起的整机失效也越来越常见.分析MOSFET失效的原因和后果,对于它的进一步发展应用具有重要的意义.在电源应用中的MOSFET,多为感性负载应用,电流为线性变化,不存在突变电流,电流能力并不是其失效重点;电压方面,由于变压器、电感的反向电动势,会造成MOSFET漏源之间承受极高的电压,因此反向电压击穿是MOSFET的主要失效模式,此时就需要考虑器件的雪崩能力.本文主要针对雪崩击穿的原理、雪崩能量的测试方法、影响雪崩测试的因素、雪崩击穿的具体失效模式进行分析讨论.

关键词：MOSFET、雪崩能量、测试方法、失效模式

在线出版日期：2019-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7-10