磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

摘要：

@@ MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器.MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品.从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式.
MRAM介绍
磁电阻是指导体在磁场中的电阻,通常电阻在磁场中的变化率用△ρ/ρ描述.一般金属导体的△ρ/ρ很小,只有约10-5%,而某些磁性金属或合金材料,△ρ/ρ可达30%以上.电阻变化率越大,在区分0、1状态时的误操作越少,因而可以提高工作速度.

机标关键词：磁电阻、随机存储器、电阻变化率、移动设备、芯片技术、替代产品、数字产品、数据装载、数据丢失、手机、金属导体、合金材料、工作速度、电子设备、存储数据、磁性金属、磁场、消费者、误操作、寿命短

所属期刊栏目：33

分类号：TM7(输配电工程、电力网及电力系统)

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：60-62