硅基沟槽功率器件漏电检测及异常分析

摘要：

为实现硅基沟槽功率器件的快速异常处理,采用了EMMI/FIB-SEM测试方法快速检测沟槽势垒肖特基二极管电性及结构失效,阐述了多晶硅淀积过程中异常导致的漏电分析过程及处理方法.

关键词：功率器件、漏电测试、沟槽工艺、多晶硅沉积

所属期刊栏目：51

分类号：TN311(半导体技术)

在线出版日期：2022-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：39-42,61