10.3969/j.issn.1004-4507.2021.05.003
气态氟化氢释放系统
为解决传统SiO2蚀刻工艺中存在的粘连塌陷和蚀刻速率无法精确控制等问题,研究了一种以低压下的气态氟化氢作为腐蚀介质的蚀刻方法,进而介绍了采用这一方法工作的氟化氢释放系统,主要用于在MEMS工艺中对SiO2牺牲层进行腐蚀,从而释放MEMS微结构.该系统的基本工作机理是HF与SiO2反应生成SiF4,同时让乙醇参与反应,从而实现了对SiO2蚀刻工艺的优化.实践表明,该系统能有效去除水分,防止粘连和塌陷,更好地控制蚀刻速率,具有广阔的应用前景.
微机械;气态氟化氢;乙醇蒸汽;蚀刻速率;二氧化硅释放
TN305(半导体技术)
2021-12-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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